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在采用InGaAs作为吸收层，InP作为倍增层的SAM-APD中，倍增层应位于

（A）p 型材料和吸收层之间

（B）n 型材料和吸收层之间

（C）p 型材料和衬底之间

（D）n 型材料和衬底之间