首页->电力电子技术

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的饱和区对应后者的（ ）

（A）放大区

（B）饱和区

（C）截止区

（D）闭合