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电力电子技术
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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,前者的非饱和区对应后者的的( )。
(A)放大区
(B)饱和区
(C)截止区
(D)闭合
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1
将三相桥式全控整流电路中共阳极组的三只晶闸管换成三只二极管,就构成( )。
2
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