MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，前者的|电力电子技术

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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，前者的非饱和区对应后者的的（）。

（A）放大区

（B）饱和区

（C）截止区

（D）闭合

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