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多选题 :  第三代半导体材料以（）为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。

（A）砷化镓

（B）氮化镓

（C）氧化锌

（D）碳化硅

（E）金刚石